芯片多层陶瓷电容器

除了电容器的通用特性外，片式电容器体积小，比容大，寿命长，可靠性高，适合表面安装。

随着世界电子工业的快速发展，作为电子工业的基本组成部分，芯片电容器也在以惊人的速度向前发展，以每年10％至15％的速度增长。

目前，全球对芯片电容器的需求超过2000亿，其中70％来自日本，其次是欧洲，美洲和东南亚（包括中国）。

随着薄膜产品可靠性和集成度的提高，其使用范围越来越广，广泛应用于各种军用和民用电子机器和电子设备中。

如计算机，电话，程控交换机，精密测试仪器，雷达通信等。

芯片多层陶瓷电容器的执行标准：1类芯片多层陶瓷电容器执行标准：GB / T 21041-2007（IEC 60384-21：2004 ）; 2类芯片多层陶瓷电容器执行标准：GB / T 21042-2007（IEC60384-22：2004）;简单平行板电容器的基本结构包括绝缘中间介电层和两个导电金属电极。

基本结构如下：因此，多层片式陶瓷电容器结构主要包括三部分：陶瓷介质，金属内电极和金属外电极。

多层芯片陶瓷电容器是多层结构，其简单地是多个简单平行板电容器的并联体。

1.芯片多层陶瓷电容器的功能是使用芯片多层陶瓷电容器，因为它具有“直通”的特性，是一种储能元件。

因此，它在电路中具有以下功能：1多层陶瓷电容器用于储能交换。

这是电容器最基本的功能，主要是通过其充放电过程来产生和施加电源。

这主要是基于大容量II类电容器，在某些情况下甚至可以取代小型铝电解电容器和钽电解电容器。

2，芯片多层陶瓷电容器用于通过（旁路和耦合）因为电容器不是导电体，它是通过常规转向的交流电来显示两端充电的现象，因此，在电路中，它可以与其他组件并联连接以允许AC通过，并且DC被阻挡并充当旁路。

在AC电路中，电容器根据输入信号的极性变化进行充电和放电，使得连接到电容器两端的电路处于导通状态并用作耦合。

通常，连接到放大器或运算放大器输入的电容器是耦合电容器;与放大器或运算放大器发射器相关的电容器是旁路电容器。

两者均基于II型电容器，尤其是0.1uF。

3，芯片多层陶瓷电容器用于交流电路中的频率鉴别滤波，对于多频混合信号，我们可以用一个电容器来分离其中的部件，一般来说，我们可以使用具有合理电容的电容器大部分低电平频率信号被滤除。

这主要基于高频或超高频电容器。

4.抑制浪涌电压由于电容器是一个储能元件，它可以消除电路中的瞬态浪涌信号，并吸收电路中电压波动产生的多余能量。

滤波主要基于高频产品。

二，芯片多层陶瓷电容器介质材料，容量值，容量等级选择参考介电材料介电常数可用于使产品容量范围（例如1206规格）对应容量等级COG（CG）15~901.0~2200pFB， C，D，F，G，JX7R（B）2600~36001~100nFJ，K，MZ5U（E）15000~200010~470nFM，S，ZY5V（F）15000~200010~470nFM，S，Z注：BME（内部）电极是NI）相同的尺寸可用于更大容量的产品。

为了满足电子整机小型化，大容量，高可靠性和低成本的趋势。

多层片式电容器也在快速发展：品种越来越多，体积越来越小，性能不断提高，技术不断提高，材料不断更新，轻薄系列产品已经标准化，一概而论。

它的应用逐渐渗透并从消费设备发展到投资设备。

移动通信设备使用大量芯片组件。

芯片电容器具有容量大，体积小，易碎等特点，是通信设备，计算机主板和家电遥控器中最常用的元件之一。

随着SMT的快速发展，其用量越来越大，每部手机的使用量高达200.因此，2002年芯片多层陶瓷电容器达到4000亿，最小尺寸为？0402随着世界电子信息产业的快速发展，贴片电容器的发展方向也在多样化。

（1）为了满足便携式通信工具的需求，芯片多层电容器也在朝着低电压，大容量，超小型和超薄的方向发展。

（2）为适应大功率，高耐压（多为军用通信设备），高压，大电流，大功率，超高Q低ESR型方向的某些电子整机和电子设备的发展中高压电容器也是目前重要的发展方向。

（3）为了满足电路高集成度的要求，多功能复合芯片电容器（LTCC）正成为一个热门的研究课题。