外延片的检测一般分为两类：一是光学性能测试，主要参数包括工作电压，光强，波长范围，半宽，色温，显色指数等。
这些数据可以用积分领域。
这是可靠性测试。
主要参数包括光衰减，泄漏，背压，抗静电，IV曲线等。
这些数据通常通过老化进行测试。
外延生长技术是在20世纪50年代末和60年代初期开发的，以创造高频率。
对于高功率器件，必须降低集电极的串联电阻。
生长外延层的方法很多，但最常用的是气相外延工艺，通常用高频感应炉加热，基板放在涂有碳化硅的高纯石墨加热体上，玻璃状石墨或热分解石墨，然后将其置于石英反应器中，也可以通过红外辐射加热。
为了克服外延工艺中的一些缺点，在外延生长工艺中已经有许多新的进展：减压外延，低温外延，选择性外延，抑制外延和分子束外延。
外延生长可分为多种，根据衬底的化学成分和外延层，可分为同质外延和异质外延;根据反应机理可分为使用化学反应的外延生长和使用物理反应的外延生长;根据生长过程中的相变模式，可分为气相外延，液相外延和固相外延。
外延晶片的制造过程非常复杂。
在外延晶片完成之后，随机选择下一个外延晶片以在9个点进行测试。
符合要求的产品是好产品，其他产品是有缺陷的产品（电压偏差大，波长短或长等）。
好产品的外延片将开始成为电极（P极，N极），然后激光将用于切割外延晶片，然后根据不同的电压，波长，亮度，完全切割锗的百分比自动检查，即形成Led晶圆（方形芯片）。
然后，进行目视检查以将缺陷或电极与磨损分开，后者是后者的晶体。
此时，蓝色薄膜上的晶片不符合正常的运输要求，自然会成为侧片或薄膜。
缺陷产品的外延膜（主要是一些参数不符合要求），它不用于方块，它直接用作电极（P极，N极），不做分选，是市场上的LED圈子。
切片（包括正方形等）。
外延产品用于四个领域，分立半导体用于制造需要精密Si特性的元件。
“异国情调”半导体类包含使用非硅材料的特殊产品，其中许多材料使用化合物半导体材料结合到外延层中。
使用双极晶体管元件内的重掺杂区域物理隔离掩埋层半导体，该重掺杂区域也在外延处理期间沉积。
CMOS互补金属氧化物半导体支持需要小型器件尺寸的前沿工艺。
CMOS产品是外延晶片的最大应用领域，并被IC制造商用于不可恢复的器件工艺，包括用于微处理器和逻辑芯片和存储器应用的闪存和DRAM（动态随机存取存储器）。
